ラビットでのセミトラ試験

自作セミトラユニットをらびっとS211ハイスーパーに取り付けてみた。

いくつか作ったやつのうち、CB125JXでアイドリングが不安定なものがひとつあったので、それを試しに。

MOSFETがこいつだけは発熱して触手するととても熱い。ラビットでも同じだろうと思いつつも試験。その結果、やはり同じ。そこで、ダメ元で耐圧200Vから耐圧650VのMOSFETに変更してみた。価格にすると1.5倍程度。とはいっても700円くらいだけど。

その結果は、やはりダメ。今更ながら回路の各部を計測してみたら、MOSFETのゲート・ソース間抵抗が設計値の半分だ。なんでだろう？？で、分解してみると、なんと金属皮膜抵抗の一つがちゃんとハンダづけされていなかった。ちゃんと付けたはずだったけど。外れたのかな。いずれにせよ、ここを直さないことには始まらないので再ハンダしテスト。するといい感じだ。MOSFETの発熱も無い。

そして走り出すといい感じ。やった-成功だ！と喜んでいたが、後日しばらく走ってみると10分くらいでふけ上がりが悪化。しばし休んで再び走り出すとちゃんと動くがやはり10分くらいで悪化する。発熱もしているようだ。んー、なんでかな。よく分からない。

CB125JXに取り付けたら、発熱も無いし普通に動作している。ラビットは２ストなのでエンジン回転数が同じならMOSFETの動作回数は倍になるのだけど、それが原因なのか？CBでは9000rpmまで動作確認できているが、この回転数での動作回数はラビットでは4500rpmでの回数に相当する。ラビットはもっと高回転まで回るので、ひょっとしたら高回転時のMOSFETのスイッチングロスが原因かな。今の設計だと、FETのスイッチング性能はμsec単位で、エンジンが要求する性能からすると桁違い小さくて余裕があるんだけど。基本的な勉強が足りていないのかも？ちょっと、原因を追求してみたい・・・